半導体製造
| 3-aminopropyltriethoxysilane | 3-氨丙基三乙氧基硅烷 | 3‐アミノプロピルトリエトキシシラン |
| Adaptive Tone Reproduction | 声音数据的自适应处理 | |
| Adhesive bonding | 非直接键合 | |
| adhesive layer | 胶层 | |
| agglomeration | 结块、团，块，堆; 聚集 | |
| Amorphous | 非晶 | アモルファス |
| Amorphous silicon | 非晶硅 | アモルファスシリコン |
| amplifier | 放大器 | アンプ |
| Anneal | 退火 | |
| annealing | 退火 | アニール |
| anode | 阳极 | アノード |
| Anodic Bonding | 熔合 | |
| anodic bonding | 阳极键合 | 陽極ボンディング |
| argon | 氩 | アルゴン |
| array | 阵列 | アレイ |
| Aspect ratio | 高宽比 | アスペクトレシオ、アスペクト比 |
| AuSi alloy (silicide) | 金硅合金（硅化物） | |
| B | 硼 | ホウ素 |
| back-illuminated | 背照式 | バックイルミネーション |
| backside grinding | 背面研磨 | |
| bandwidth | 带宽 | 帯域幅 |
| Bank-End of Line | 后线工艺 | 配線工程、バックエンド、BEOL |
| barrier layer | 阻挡层 | バリアレイヤ |
| Bear die | 裸片 | ベアダイ |
| Bending beam method | 弯曲梁法 | |
| Beveling | 开坡口 | 面取り、べべリング |
| Bit line | 位线 | ビット線、ビットライン |
| Bonding | 绑定,键合 | |
| Bow | 弯曲度 | |
| Brain computer interface | 脑机界面 | ブレイン-マシン・インターフェース |
| brain-type computing system | 仿大脑计算系统 | |
| BSI back side illumination | 背部感光式 | |
| bump stabbing | 铜柱凸块技术 | |
| bus | 总线 | バス |
| catalyst | 催化剂 | |
| CMOS | 互补金属氧化物半导体 | |
| Co | 钴 | コバルト |
| co-integlation | 共集成 | コ＝インテグレーション |
| Conformal deposition | 共形沉积 | コンフォーマルデポジション |
| conformal deposition | 保形沉积 | |
| contact resistance | 接触电阻 | 接触抵抗 |
| copper sulfate | 硫酸铜 | 硫酸銅 |
| CoWB | 钨钴硼化物 | |
| Credo Brunetti Award | 克雷多布鲁内提奖 | クレド・ブルネッティ賞 |
| crucible | 坩埚 | るつぼ |
| c-Si transverse optical phonon | c-Si横向光学声子 | |
| CSP，chip size package | 芯片尺寸封装 | |
| cure | 固化 | キュア、硬化 |
| daisy chain | 菊花链 | デイジーチェーン |
| dehydrogenation | 脱氢 | 脱水素 |
| Detaping | 去膜 | |
| dicing | 切割 | ダイシング |
| die | 芯片 | ダイ |
| Dielectric constant | 介电常数 | 誘電率 |
| Direct Bonding | 直接键合 | |
| Doppler broadening | 多普勒谱线增宽 | ドップラー広がり |
| Electroplate | 电镀 | 電解メッキ |
| Electroplate | 电镀 | 電解メッキ |
| electrostatic bonding | 静电焊接 | |
| ELPIDA | 尔必达 | エルピーダ（企業名） |
| epitaxial | 外延 | エピ、エピタキシャル |
| epoxy adhesive | 环氧胶 | |
| etching | 蚀刻 | エッチング |
| Ethylenediaminetetraacetic acid | 乙二胺四乙酸 | エチレンジアミン四酢酸 |
| Eutectic Bonding | 粘接键合 | |
| eutectic bonding | 共晶键合 | 共晶ボンディング |
| EUV | 极远紫外线 | 極紫外線 |
| fin type | 叶片式 | フィンタイプ |
| flip chip | 倒装芯片 | フリップチップ |
| flux | 助焊膏 | フラックス |
| focal plane shutter | 帘幕式快门 | フォーカルプレーンシャッター |
| formic acid | 蚁酸 | ギ酸（蟻酸） |
| Front-End of Line | 前线工艺 | 基板工程、フロントエンド、FEOL |
| FSI front side illumination | 前感光式 | |
| Fusion Bonding | 金属扩散键合 | |
| GaN | 氮化镓 | ガリウムナイトライド、窒化ガリウム |
| ganglion cell | 神经节细胞 | 神経節細胞 |
| gettering effect | 吸除效应 | |
| Global shutter | 全局快门 | グローバルシャッター |
| Glyoxylic acid | 乙醛酸 | グリオキシル酸 |
| grain boundary | 晶界；粒界 | |
| Grind | 研磨 | ラッピング（粗研磨） |
| Grinding wheel | 磨轮 | 研削ホイール |
| Heterogeneous integration | 异构集成 | ヘテロ（ジニアス）インテグレーション |
| High-Dynamic Range HDR | 高动态范围图像 | |
| hydrogen bonding | 氢键，氢键合 | 水素結合、水素接合 |
| hydroxy group | 羟基（qiang3) | ヒドロキシ酸、水酸基 |
| Hydroxy groups | 羟基 qiǎngjī | |
| Hysteresis | 磁滞 | ヒステリシス |
| Idlin | 线性汲极电流 | |
| Idsat | 饱和汲极电流 | |
| image sensor | 图像传感器 | |
| image sensor | 图像传感器 | イメージセンサー |
| impedance matching | 阻抗匹配 | インピーダンスマッチング |
| Ingot casting | 铸锭 | インゴット |
| inhibitor | 阻聚剂 | 反応抑制剤、阻害物質 |
| InP | 磷化铟 | インジウムリン |
| in-plane | 板平面内 | |
| Insulation | 绝缘 | |
| Interface | 界面 | 界面 |
| known good die (KGD) | 已知合格裸片 | KGD |
| Layered | 分层 | デラミネーション |
| Leakage current | 漏电流 | リークカレント |
| logic substrate | 逻辑基板 | |
| Long exposure | 长曝光 | |
| Long exposure | 长时间曝光 | |
| Low-Dynamic Range LDR | 低动态范围图像 | |
| metal salt | 金属盐 | 金属塩 |
| Metallization | 金属化 | |
| micron | 微米 | ミクロン（メートル）/ μm |
| Micron Technology | 美光 | マイクロンテクノロジ（企業名） |
| Millimeter wave | 毫米波 | ミリ波 |
| monocrystalline layer | 单晶层 | |
| monolayer | 单层膜 | |
| monolithic | 单片 | モノリシック |
| mwmory cell | 存储单元 | メモリーセル |
| Nanowires | 纳米线 | ナノワイヤ |
| Nb | 铌 | ニオブ |
| Neuron | 神经元 | ニューロン |
| Newton | 牛顿 | ニュートン |
| Ni | 镍 | ニッケル |
| No plating (= chemical plating) | 无电镀（=化学镀） | 無電解メッキ |
| Optical devices | 光学器件 | オプティカルデバイス |
| Optical interconnection | 光互联 | オプティカルインターコネクション |
| Packaging | 封装 | パッケージング |
| Palo Alto Research Center | 帕罗奥多研究中心 | パロアルトリサーチセンター |
| Parasitic capacitance | 寄生电容 | 寄生容量 |
| passivation | 钝化 | パッシベーション |
| Pd | 钯 | パラジウム |
| peripheral | 外围 | ペリフェラル |
| Peripheral area | 外围区 | |
| phot diode | 光电二极管 | |
| Photolith | 光刻 | フォトリソグラフィ、フォトリソ |
| Physical Vapor Deposition,PVD | 物理气相沉积技术 | |
| Pixel area | 像素区域 | |
| plasma bonding | 等离子键合 | プラズマボンディング |
| platen | 滚筒 | |
| polishing | 抛光 | ポリッシング（研磨） |
| polyethylene glycol | 聚乙二醇 | ポリエチレングリコール |
| polysilicon | 多晶硅 | ポリシリコン |
| polyvinyl pyrrolidone | 聚乙烯基吡咯烷酮 | ポリビニルピロリドン |
| Positional accuracy | 对位精度 | 位置精度 |
| positron | 正电子 | 陽電子、ポジトロン |
| positron annihilation | 正电子湮没 | 陽電子消滅、ポジトロン消滅 |
| power device | 功率器件 | パワーデバイス |
| Power waste | 功耗 | 消費電力 |
| process | 工艺 | プロセス |
| QUAD GROUP(USA) | 美国方群公司 | |
| radio frequency | 射频 | RF |
| Raman | 拉曼 | |
| Read amplifier | 读放大器 | センスアンプ、差動増幅回路 |
| redistribution layer(RDL) | 重布线层 | 再分配伝導層 |
| Reflow soldering | 回流焊 | リフロー |
| residual stress | 残留应力 | 残留応力 |
| ROMULUS | 罗穆卢斯多功能机械强度测量仪 | |
| Room Temperature Bonding | 室温键合 | |
| saccharin | 糖精 | サッカリン |
| SAM Self-Assembled Monolayer | 自组装单分子膜(SAM) | 自己組織化単分子膜（SAM） |
| scallop | 流痕 | スカラップ |
| scallop | 环形扇贝花纹 | |
| Seed deposit | 晶种层沉积 | シードレイヤ・デポジション |
| Seed layer | 晶种层 | シードレイヤ |
| Self assemble | 自组合 | セルフアセンブル |
| shmoo plot | shmoo图（什缪图） | シムープロット、shmooプロット |
| Short exposure | 短曝光 | |
| short exposure | 短时间曝光 | |
| Si Thinning | 硅减薄 | |
| silicidation | 硅化 | けい化 |
| simulation | 模拟 | アナログ |
| Sn | 锡 | すず |
| solder bump | 焊点 | ソルダーバンプ |
| sputtering | 溅射 | スパッタ、スパッタリング |
| Sputtering | 溅射 | |
| stacked capacitor | 堆叠电容器 | スタックドキャパシタ |
| stimulated Brillouin scattering (SBS) | 受激布里渊散射(SBS) | 誘導ブリルアン散乱 |
| stimulated Raman scattering (SRS) | 受激拉曼散射(SRS) | 誘導ラーマン散乱 |
| Storage time | 存储时间 | リテンションタイム |
| stud pin | 销钉 | |
| Sub micron | 亚微米 | サブミクロン |
| supporting substrate | 支撑基板 | |
| surface activated bonding | 表面活性化结合 | SAB(surface activated bonding） |
| Synapse | 突触 | シナプス |
| Synthesize | 合成 | |
| Ta | 钽 (tan3) | タンタル |
| TaN | 高纯氮化钽 | |
| thermal resistance | 热阻 | 熱抵抗 |
| Thermal simulation | 热仿真 | サーマルシュミレーション |
| thermo-compression | 热压合 | サーマルコンプレッションボンディング |
| Thumbtack | 图钉 | 画鋲 |
| Ti titanium | 钛 | チタン |
| TiN | 氮化钛 | |
| transfer gate | 传输栅极 | トランスファーゲート |
| transient liquid phase | 瞬态液相 | 遷移液相 |
| trench capacitor | 沟渠电容 | トレンチキャパシタ |
| TSV | 硅通孔、TSV | Si（シリコン）貫通電極、TSV |
| TSV through-silicon via | 硅通孔技术 | |
| ultrasonic agitation | 超声搅拌 | |
| Universität Stuttgart | 斯图加特大学 | シュトゥットガルト大学 |
| Vertical stacking | 垂直堆叠 | |
| Via hole | 导通孔 | ビア |
| W | 钨 | タングステン |
| Wafer Bonding | 晶圆键合 | |
| Wafer Bonding | 晶圆键合 | |
| Wafer Mounting | 晶圆贴片 | |
| waferDicing | 晶圆切割 | |
| Warp | 翘曲度 | そり |
| Wet chemical etching | 湿式化学蚀刻 | ウエットケミカルエッチング |
| Wet cleaning purification | 湿法净化 | ウエットクリーニング |
| Word line | 字线 | ワード線、ワードライン |
| Xerox | 施乐 | ゼロックス |
| 电特性 | 電気特性 | |
| 热设计 | 熱設計 |
